Будущий флагманский чипсет Qualcomm Snapdragon 895, построенный по 4-нм техпроцессу, показал прирост производительности на 20% по сравнению с текущим поколением чипов в первом внутреннем тестировании.
Уже известно, что преемник Snapdragon 888 будет производиться с использованием литографии Samsung по 4-нм техпроцессу, а сам чипсет получил номер модели SM8450. Предположительно он получит название Snapdragon 895 или 898.
Стоит отметить, что улучшение производительности по сравнению со Snapdragon 888, безусловно, приведёт к ещё большему нагреву микросхемы. Пока неясно, как Qualcomm решит эту проблему, но пользователи смартфонов на текущем поколении флагманских чипсетов жалуются на сильный нагрев девайсов в играх.
По слухам, Qualcomm официально представит новый чипсет в начале декабря.
